Độ nhạy khí H 2 S (0,1÷1 ppm) ở 200 °C của các cảm biến chế tạo được so sánh như trong Hình 4.18. Tất cả các cảm biến cho thấy khả năng đáp ứng và phục hồi tốt với khí H 2 S nồng độ thấp. Kết quả cũng cho thấy cảm biến dây ...
Vật liệu cân bằng nhau. Kết quả một lớp nghèo điện tử được hình thành tại bề mặt tiếp xúc giữa SnO 2 và ZnO, hàng rào dị thể bị uốn cong. Hình 4.13. Sơ đồ mức năng lượng của SnO 2 và ZnO trước (a) và sau khi biến tính (b). Đặc ...
10 phút cho đáp ứng khí H 2 S nồng độ 0,25 ppm tại 350 o C là 7,8 lần (Hình 4.6). SnO /ZnO-350 C o 2 7.8 4.3 2.6 15nm 10nm 5nm 10 8 S (R g /R a ) 6 4 2 0 H 2 S- 2.5 ppm Độ đáp ứng khí H 2 S (0,25 ÷ 2,5 ppm tại nhiệt độ 350 o C của các cảm biến SnO 2 /ZnO có ...
Chế tạo thành công các cảm biến dây nano n- SnO 2 biến tính với các hạt nano oxit Ag 2 O bằng phương pháp CVD kết hợp với phương pháp nhúng phủ. Mật độ hạt nano Ag 2 O trên bề mặt dây nano SnO 2 phụ thuộc vào nồng độ dung dịch muối ...
Được giữa hai mặt mạng liên tiếp của SnO 2 là 0,33 nm; của các hạt nano NiO là 0,24 nm tương ứng với khoảng không gian giao nhau của mặt phẳng (111) trong cấu trúc của NiO [121]. 3.2.2. Đặc trưng nhạy khí H 2 S Cảm biến SnO 2 /NiO chế tạo ...
Một đặc tính khác của cảm biến khí cũng rất quan trọng đó là độ lặp lại của cảm biến. Chúng tôi đã kiểm tra độ ổn định của cảm biến S5 bằng cách chuyển đổi môi trường xung quanh cảm biến từ không khí sang khí H 2 S nồng ...
Hình 3.1. Hình ảnh SEM và phân tích EDS của cảm biến S0 (A, B), S2 (C, D) và S5 (E, F). Những dây nano nguyên bản S0 có bề mặt rất mịn và sạch - Hình 3.2 (A). Đường kính trung bình của dây nano SnO 2 khoảng 70 nm phù hợp với sự quan sát bằng ...
Không khí để làm tăng khả năng và sự ổn định tiếp xúc giữa hạt nano Ag 2 O và dây nano SnO 2 . Oxit Ag 2 O là một oxit bán dẫn loại p . Do vậy trong cảm biến chế tạo được hình thành một lớp chuyển tiếp dị thể khác loại hạt tải n ...
CHƯƠNG 2: THỰC NGHIỆM Trong chương này chúng tôi trình bày các bước công nghệ chính để chế tạo được cảm biến dây nano SnO 2 bằng phương pháp CVD nhiệt. Cảm biến dây nano cấu trúc dị thể n- SnO 2 /SMO được chế tạo nhờ biến tính ...
Bảng 1.2. Đáp ứng khí của các dây nano oxit kim loại bán dẫn cấu trúc dị thể Năm Dây nano Phương pháp chế tạo Loại khí thử Độ đáp ứng khí Tài liệu tham khảo 2009 Fe 2 O 3 /SnO 2 Thủy nhiệt C 2 H 5 OH 19,6 tại 10ppm và 220 o C [56] 2010 ...
Rộng về phía hạt nano biến tính [Hình 1.2(c)]. Chiều dày lớp nghèo lúc này được tính theo công thức (4) và (5) [1]: 𝑊 𝑛 𝑊 𝑝 = 2𝜀 𝑛 𝑉 𝑏𝑖 √ 𝑞𝑉 𝑛 2𝜀 𝑝 𝑉 𝑏𝑖 = √ 𝑞𝑉 𝑝 (1.4) (1.5) Tương tự như trên có thể ...
Cứu đã được phản biện bởi các nhà khoa học trong và ngoài nước, được công bố trên các tạp chí chuyên ngành. Điều này cho thấy, nội dung của luận án có ý nghĩa khoa học và thực tiễn không chỉ trong nước mà trong cả cộng đồng ...
Trang 555, Trang 556, Trang 557, Trang 558, Trang 559, Trang 560, Trang 561, Trang 562, Trang 563, Trang 564,