Xúc các điện tử sẽ chuyển từ WO 3 sang SnO 2 . Kết quả là, vùng nghèo điện tử trong dây nano SnO 2 đã bị thu hẹp lại, trong khi vùng nghèo điện tử trong WO 3 tăng lên. Chiều dài Debye của WO 3 là khoảng 11 nm; do đó, vỏ WO 3 đã hoàn toàn ...
Độ nhạy khí H 2 S (0,1÷1 ppm) ở 200 °C của các cảm biến chế tạo được so sánh như trong Hình 4.18. Tất cả các cảm biến cho thấy khả năng đáp ứng và phục hồi tốt với khí H 2 S nồng độ thấp. Kết quả cũng cho thấy cảm biến dây ...
Vật liệu cân bằng nhau. Kết quả một lớp nghèo điện tử được hình thành tại bề mặt tiếp xúc giữa SnO 2 và ZnO, hàng rào dị thể bị uốn cong. Hình 4.13. Sơ đồ mức năng lượng của SnO 2 và ZnO trước (a) và sau khi biến tính (b). Đặc ...
10 phút cho đáp ứng khí H 2 S nồng độ 0,25 ppm tại 350 o C là 7,8 lần (Hình 4.6). SnO /ZnO-350 C o 2 7.8 4.3 2.6 15nm 10nm 5nm 10 8 S (R g /R a ) 6 4 2 0 H 2 S- 2.5 ppm Độ đáp ứng khí H 2 S (0,25 ÷ 2,5 ppm tại nhiệt độ 350 o C của các cảm biến SnO 2 /ZnO có ...
Chế tạo thành công các cảm biến dây nano n- SnO 2 biến tính với các hạt nano oxit Ag 2 O bằng phương pháp CVD kết hợp với phương pháp nhúng phủ. Mật độ hạt nano Ag 2 O trên bề mặt dây nano SnO 2 phụ thuộc vào nồng độ dung dịch muối ...
Được giữa hai mặt mạng liên tiếp của SnO 2 là 0,33 nm; của các hạt nano NiO là 0,24 nm tương ứng với khoảng không gian giao nhau của mặt phẳng (111) trong cấu trúc của NiO [121]. 3.2.2. Đặc trưng nhạy khí H 2 S Cảm biến SnO 2 /NiO chế tạo ...
Một đặc tính khác của cảm biến khí cũng rất quan trọng đó là độ lặp lại của cảm biến. Chúng tôi đã kiểm tra độ ổn định của cảm biến S5 bằng cách chuyển đổi môi trường xung quanh cảm biến từ không khí sang khí H 2 S nồng ...
Hình 3.1. Hình ảnh SEM và phân tích EDS của cảm biến S0 (A, B), S2 (C, D) và S5 (E, F). Những dây nano nguyên bản S0 có bề mặt rất mịn và sạch - Hình 3.2 (A). Đường kính trung bình của dây nano SnO 2 khoảng 70 nm phù hợp với sự quan sát bằng ...
Không khí để làm tăng khả năng và sự ổn định tiếp xúc giữa hạt nano Ag 2 O và dây nano SnO 2 . Oxit Ag 2 O là một oxit bán dẫn loại p . Do vậy trong cảm biến chế tạo được hình thành một lớp chuyển tiếp dị thể khác loại hạt tải n ...
CHƯƠNG 2: THỰC NGHIỆM Trong chương này chúng tôi trình bày các bước công nghệ chính để chế tạo được cảm biến dây nano SnO 2 bằng phương pháp CVD nhiệt. Cảm biến dây nano cấu trúc dị thể n- SnO 2 /SMO được chế tạo nhờ biến tính ...
Trang 132, Trang 133, Trang 134, Trang 135, Trang 136, Trang 137, Trang 138, Trang 139, Trang 140, Trang 141,